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一种趋磁细菌的培养方法
专利权人:
兰州理工大学
发明人:
胡家玮,闫兵刚,王少峰,杨亚红,蔚阳,李彦娟,张玉蓉
申请号:
CN201711295903.7
公开号:
CN107815434A
申请日:
2017.12.08
申请国别(地区):
中国
年份:
2018
代理人:
陈娟
摘要:
本发明公开了一种趋磁细菌的培养方法,该方法包括以下步骤:活化:将冷冻的趋磁细菌在水浴中化冻为液态后接种于无菌的液体活化培养基中,在30℃温度下、密封无外菌环境中培养5~8d,得到活化后的菌液;扩大培养:将活化菌液离心,将沉淀部分转接入无菌的液体扩大培养基中,在30℃温度下、密封无外菌环境中培养20~22h,得到扩大培养菌液;发酵培养:将培养菌液加入到发酵培养基中,在磁场震荡、温度为30~32℃、搅拌速度为40~50rpm的环境中密封发酵培养40~50h,得到发酵菌液;将发酵菌体超声波破碎洗涤、纯化和冷冻干燥获得磁小体。本发明操作更为简单,并且趋磁细菌能实现规模化培养,磁小体收率更高。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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