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一种趋磁细菌AMB‑1的培养方法
专利权人:
华侨大学
发明人:
刘源岗,洪雅真,王士斌,于汝祺,刘华青
申请号:
CN201610896375.X
公开号:
CN106434468A
申请日:
2016.10.14
申请国别(地区):
中国
年份:
2017
代理人:
张松亭`姜谧
摘要:
本发明公开了一种趋磁细菌AMB‑1的培养方法,包括如下步骤:(1)菌种活化;(2)第一扩大培养菌;(3)第二扩大培养菌;(4)第三扩大培养菌;(5)取适量步骤(4)获得的第三扩大培养菌液,接种于无菌的液体培养基1653 MSGM中进行发酵罐培养;(6)离心收集步骤(5)获得的物料中的菌体,经超声破碎洗涤、纯化和冷冻干燥获得磁小体。本发明的方法实现了在仅改变铁源添加量及控制pH恒定的情况下,通过发酵罐培养可大幅提高AMB‑1菌体密度及磁小体产量的目的。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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