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Integrated Multimodal Sensor Device For Intracranial Neuromonitoring
专利权人:
AGENCY FOR SCIENCE; TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人:
CHAN, Wai Pan,RAO, Jai Prashanth,NARDUCCI, Margarita Sofia,GAO, Yuan,TSAI, Julius Ming Lin,LIM, Ruiqi,CHENG, Ming-Yuan,RAHMAN, Abdur Rub Abdur,PARK, Mi Kyoung,JE, Minkyu
申请号:
SGSG2014/000274
公开号:
WO2014/200436A1
申请日:
2014.06.12
申请国别(地区):
WO
年份:
2014
代理人:
摘要:
There is provided a monolithically integrated multimodal sensor device for intracranial neuromonitoring, the sensor device including: a single substrate a temperature sensor formed on a first portion of the single substrate for detecting temperature a pressure sensor formed on a second portion of the single substrate for detecting intracranial pressure and an oxygen sensor formed on a third portion of the single substrate for detecting oxygen concentration. In particular, sensing portions of the temperature sensor, the oxygen sensor and the pressure sensor, respectively, are formed at different layers of the sensor device. There is also provided an integrated multimodal sensor system incorporating the sensor device and the associated methods of fabrication.La présente invention concerne un dispositif à à capteurs multimodaux intégrés de manière monolithique pour la neuro-surveillance intracrânienne, le dispositif à capteurs comprenant : un substrat unique un capteur de température formé sur une première partie du substrat unique pour détecter la température un capteur de pression formé sur une seconde partie du substrat unique pour détecter la pression intracrânienne et un capteur doxygène formé sur une troisième partie du substrat unique pour détecter la concentration en oxygène. En particulier, les parties de détection du capteur de température, du capteur doxygène et du capteur de pression, respectivement, sont formées au niveau de différentes couches du dispositif de détection. La présente invention concerne en outre un système à capteurs multimodaux intégrés incorporant le dispositif à capteurs et les procédés de fabrication associés.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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