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一种交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极及其制备方法
- 专利权人:
- 烟台大学
- 发明人:
- 李岩,张文超,赵文韬,刘宇航,柴永生,刘希宽
- 申请号：
- CN202010065752.1
- 公开号：
- CN111111003A
- 申请日:
- 2020.20.01
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明旨在降低脑深部刺激手术中套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力,并减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度,结合仿生微织构对摩擦表面的减摩思想,提出了一种交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极及其制备方法,在套管电极圆柱表面上加工一系列直线型阵列沟槽仿生微织构,直线型阵列沟槽在套管电极圆柱表面的圆周方向上等距分布,通过固体纳秒激光系统、转速及转角可控的中空旋转夹持器和斜度可调的角度倾斜台,以激光扫描的加工形式,在套管电极外圆柱面上加工出直线型沟槽,自动高效的完成加工,并且保证沟槽的尺寸精度,制备获得的套管电极可降低套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力,减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
