光面晶体硅-陷光膜复合太阳能电池
- 专利权人:
- 集美大学
- 发明人:
- 许志龙,皮钧,刘菊东,黄种明,杨小璠,任永臻,侯达盘,刘伟钦,林忠华
- 申请号：
- CN201310144561.4
- 公开号：
- CN103236447B
- 申请日:
- 2013.04.24
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 朱凌
- 摘要：
- 本发明公开了一种光面晶体硅太阳能电池，它包括光面晶体硅、氧化膜钝化层、高透陷光膜;所述的高透陷光膜、氧化膜钝化层、光面晶体硅由上至下层叠，其折射率由上至下梯度增大；所述的氧化膜钝化层溅射于光面晶体硅的朝阳面上，所述的高透陷光膜复合在氧化膜钝化层上。本发明通过选取合适的高透陷光膜、氧化膜钝化层材质，优化高透陷光膜、氧化膜钝化层与光面晶体硅的折射率，可提高晶体硅对太阳光高效吸收而不产生晶体硅高温扩散不一致、晶格位错缺陷、接触电阻增大等不利影响，且制造简单，成本低。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
