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渐变带隙纳米硅薄膜及渐变带隙纳米硅薄膜太阳能电池
- 专利权人:
- 于化丛
- 发明人:
- 于化丛
- 申请号：
- CN201310125568.1
- 公开号：
- CN103227229B
- 申请日:
- 2013.04.11
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 徐琳淞
- 摘要：
- 本发明公开了渐变带隙纳米硅薄膜及渐变带隙纳米硅薄膜太阳能电池，渐变带隙纳米硅薄膜为由非晶硅、晶粒和晶界组成的混合相材料；所述晶体硅的带隙为1.12eV，非晶硅为1.75eV；所述器件质量级的纳米硅薄膜晶化率范围为40%‑70%；所述渐变带隙纳米硅薄膜的带隙为1.3eV~1.5eV。本发明的渐变带隙纳米硅薄膜用于纳米硅电池的I层（也即光吸收层），充分吸收不同波段的太阳光能，还改善了光生空穴的传输，从而可以有效提高电池的光电转换效率；同时渐变光吸收层结构解决了纳米硅太阳电池开路电压较低的问题，而且渐变结构使其与P层及N层的带隙差别较小，较大程度的解决了P/I、I/N界面的带隙失配问题，避免了异质结的界面效应，降低光致衰退效应，降低成本。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
