一种多晶硅纳米薄膜应变电阻的制作方法
- 专利权人:
- 沈阳工业大学
- 发明人:
- 揣荣岩,王健,孙显龙,关艳霞,刘斌
- 申请号：
- CN201010148788.2
- 公开号：
- CN101819923B
- 申请日:
- 2010.03.18
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2011
- 代理人:
- 宋铁军
- 摘要：
- 本发明公开一种多晶硅纳米薄膜应变电阻的制作方法，该方法主要由氧化工艺、多晶淀积工艺、钝化工艺、局部离子注入工艺和退火工艺组成。该发明目的旨在采用局部注入技术，制作出具有应变系数大、温度系数小、薄膜均匀、内应力小、不存在侧面腐蚀和工艺一致性好等特点的多晶硅纳米薄膜应变电阻。该方法所述薄膜可淀积在半导体硅、玻璃、陶瓷、金属等各种衬底上，易于加工、适合批量生产、成本低，有利于拓宽应用领域。对于制造高灵敏、低温漂、宽工作温度范围的低成本压阻式力敏传感器具有重要的应用价值。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
