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PILIER
专利权人:
STRAUMANN HOLDING AG
发明人:
BERNER, Simon
申请号:
EPEP2014/001549
公开号:
WO2014/195027A3
申请日:
2014.06.06
申请国别(地区):
EP
年份:
2015
代理人:
摘要:
The present invention relates to an abutment of a dental implant system for connecting a dental implant and a suprastructure, said abutment comprising an abutment basic body extending from an apical end to a coronal end arranged opposite to the apical end. The abutment basic body comprises a dental implant connecting portion facing the apical end and adapted to fit with a corresponding abutment connecting portion of the dental implant and/or an intermediate part to be directly or indirectly connected with the dental implant. It further comprises a support portion facing the coronal end and designed such to allow the suprastructure to be mounted directly or indirectly. According to the invention, the abutment further comprises nanostructures formed on at least a portion of the outer surface of the abutment basic body, said nanostructures extending in at least two dimensions to 200 nm at most.La présente invention concerne un pilier d'un système d'implant dentaire destiné à relier un implant dentaire et une suprastructure, ledit pilier comprenant un corps de base de pilier s'étendant depuis une extrémité apicale jusqu'à une extrémité coronaire située à l'opposé de l'extrémité apicale. Le corps de base du pilier comprend une partie de liaison d'un implant dentaire située en regard de l'extrémité apicale et conçue pour s'emboîter à une partie de liaison d'un pilier correspondante de l'implant dentaire et/ou à une partie intermédiaire destinée à être reliée directement ou indirectement à l'implant dentaire. Il comprend en outre une partie de support située en regard de l'extrémité coronaire et conçue de façon à permettre le montage direct ou indirect de la suprastructure. Selon l'invention, le pilier comprend en outre des nanostructures formées sur au moins une partie de la surface externe du corps de base du pilier, lesdites nanostructures s'étendant selon au moins deux dimensions jusqu'à un maximum de 200 nm.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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