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层数可调的多层囊泡状介孔二氧化硅及其合成方法
- 专利权人:
- 齐鲁工业大学
- 发明人:
- 周国伟,张彦,李艳敬,刘方方
- 申请号：
- CN201410032426.5
- 公开号：
- CN103787345B
- 申请日:
- 2014.01.23
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及层数可调的多层囊泡状介孔二氧化硅及其合成方法，将CTAB加入25-30℃蒸馏水中搅拌溶解，然后加入DDAB搅拌至全部溶解；将少量氨水滴加到搅拌中的上述溶液中，搅拌均匀，然后在搅拌下滴加正硅酸四乙酯TEOS，得到悬浮液；将得到的悬浮液继续搅拌反应20-24h，得到白色沉淀，将白色沉淀置于恒温箱100-120℃中静置20-24h；白色沉淀进行抽滤，洗涤，干燥，研磨后，500-600℃条件下煅烧5-6h得到囊泡状介孔二氧化硅。本发明制得的多层囊泡状介孔二氧化硅粒度均匀(60-120nm)，且分散性较好，仅通过改变DDAB的加量即可实现囊泡状介孔二氧化硅层数的调控7-2层。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
