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一种三维硅基片式薄膜电容器及其制造方法
- 专利权人:
- 中国振华集团云科电子有限公司
- 发明人:
- 贺勇,张铎,朱雪婷,尚超红,宋丽娟,吴晟杰,龙立铨,陈雨露,郭冬英,韩玉成
- 申请号：
- CN201710103351.9
- 公开号：
- CN106601479A
- 申请日:
- 2017.02.24
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 张玺
- 摘要：
- 本发明公开了一种三维硅基片式薄膜电容器及其制造方法，包括硅基体，制造在硅基体上的微型孔洞，在孔洞内形成的薄膜电容器功能层和顶电极层以及硅基体背面的底电极层。所述硅基体为低电阻率硅基体，晶向100；所述功能层为二氧化硅和氮化硅双层结构；所述顶电极层为钛钨打底层和金层；所述底电极层为钛钨打底层和金层。本发明的三维硅基片式薄膜电容器具有体积小、损耗低、绝缘电阻高、温度系数小等效串联电阻和等效串联电感低等特点。由于其制造工艺与半导体工艺相兼容，性能稳定，可广泛应用于航空航天、军事雷达、计算机通信，便携式电子设备，汽车能源，家用电子等领域，具有非常广阔的市场前景和巨大的商业价值。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
