一种氧化钼纳米片封堵中空介孔硅纳米材料及其制备和应用
- 专利权人:
- 东华大学
- 发明人:
- 朱利民,李昱,吴建荣,杨延波,牛世伟,张雪静,谢晓田
- 申请号：
- CN201911182579.7
- 公开号：
- CN110917172A
- 申请日:
- 2019.27.11
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种氧化钼纳米片封堵中空介孔硅纳米材料及其制备和应用,通过聚乙二醇修饰的二硬脂酰磷脂酰乙醇胺mPEG‑DSPE修饰的氧化钼MoOx纳米片封堵中空介孔硅,获得。本发明制备方法操作简单,实验条件易控制,具有产业化实施的前景。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
