用于UVC暴射的细胞培养基及其相关方法

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专利权人:

安姆根有限公司

发明人:

R.哈特,R.M.博伊基恩

申请号：

CN201280013227.9

公开号：

CN103534345A

申请日:

2012.02.17

申请国别(地区):

CN

年份:

2014

代理人:

摘要：

本发明涉及针对暴露于紫外线C(UVC)光暴射而最佳化的细胞培养基及相关方法。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/