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碳化硅介孔阵列材料及其制备方法
- 专利权人:
- 上海师范大学
- 发明人:
- 谈嘉慧,何鸿,张永平,陈之战,石旺舟
- 申请号：
- CN201410314566.1
- 公开号：
- CN104118842B
- 申请日:
- 2014.07.02
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 周云
- 摘要：
- 本发明碳化硅介孔阵列材料及其制备方法，具体指一种耐高温、抗腐蚀、拥有均匀介孔阵列的宽禁带碳化硅材料的制备技术，涉及多孔半导体器件制备技术领域。本发明通过在样品Si面粘附双导铜箔来简化由阳极氧化所需制备背电极金属接触的预备工作。相比较双槽电化学腐蚀，省去了一部份电解液并且简化了制备器具。制备过程中通过选择适当的脉冲频率和停留时间对两极施加恒脉冲电流，得到纵向孔径一致且帽层过渡层仅在
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多孔层厚度为![]()
的介孔阵列。相比较现有制备工艺具有可重复性强，成品率高等优点。在为电力电子和航天航空领域，应用高载流子迁移率，热导率，抗腐蚀，耐高压等优点的第三代半导体的碳化硅产品，提供坚实的技术物质基础。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
