您的位置：
首页
>
农业专利
>
详情页
带温度传感器的多晶硅纳米膜压力传感器及其制作方法
- 专利权人:
- 哈尔滨工业大学
- 发明人:
- 刘晓为,王喜莲,揣荣岩,陆学斌,施长治
- 申请号：
- CN200910072796.0
- 公开号：
- CN101639391B
- 申请日:
- 2009.09.07
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 崔东辉
- 摘要：
- 本发明提供一种在保证高灵敏度的同时获得低温度系数、可同时实现压力和温度测量的带温度传感器的多晶硅纳米膜压力传感器及其制作方法。它是由单晶硅硅杯、绝缘层、多晶硅纳米膜压敏电阻和薄膜电阻组成的，单晶硅硅杯连接绝缘层，绝缘层连接多晶硅纳米膜压敏电阻和薄膜电阻。单晶硅硅杯包括感压膜和周边固支结构，感压膜位于单晶硅硅杯上部，周边固支结构位于单晶硅硅杯两边。由单晶硅通过腐蚀制作单晶硅硅杯，利用化学气象淀积法在单晶硅硅杯的上部淀积一层二氧化硅或氮化硅作为绝缘层，将压力测量单元和温度测量单元集成在一个芯片上，能够同时实现压力和温度的测量，减小芯片面积，降低成本。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
