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离子修饰的原卟啉镓化合物及其制备方法和应用
专利权人:
天津大学
发明人:
张雷,朱迎男,张浩
申请号:
CN202010588582.5
公开号:
CN111848656B
申请日:
2020.06.24
申请国别(地区):
CN
年份:
2023
代理人:
摘要:
本发明属于有机合成和药物领域,具体涉及一种离子修饰的原卟啉镓化合物及其制备方法和应用。离子修饰的原卟啉镓化合物具有以下结构:其中m为1,2或3;n为1,2或3;R1为乙基或乙烯基;R2为H,COO‑或SO3‑;M‑X为Ga‑Cl或者Ga‑NO3;当原卟啉类化合物络合镓之后,除了具有原卟啉类光敏剂光动力抗菌的性能,同时又赋予化合物阻断铁代谢的抗菌机制,双管齐下,协同抗菌,有利于降低最小抑菌浓度,提高抗菌效率,增强对细菌的靶向性,克服细菌耐药性。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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