The present invention relates to a near-infrared ray detector device and a method of manufacturing the same. A nanowire layer formed on the substrate by forming a plurality of nanowires at mutually spaced intervals in a core / shell form； A quantum dot layer formed on the nanowire layer； A first electrode connected to the core； And a second transparent electrode formed on the quantum dot layer. Thereby, a detector element for a near-infrared ray capable of detecting a near-infrared ray with a low dose and a high sensitivity and a manufacturing method thereof are provided. Further, a near-infrared ray detector device capable of obtaining near-infrared ray detection data excellent in reliability even in a state of a subject and various bad conditions and a method of manufacturing the same are provided. Particularly, according to the present invention, there is provided a near-infrared ray detector element and a method of manufacturing the same which are very suitable for the fNIR field for detecting functional near-infrared rays of the brain.본 발명은 근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판； 상기 기판 상에 코어/쉘 형태로 상호 간격을 두고 다수의 나노와이어들을 형성하여 마련되는 나노와이어층； 상기 나노와이어층 상에 형성되는 양자점층； 상기 코어에 접속되는 제1전극； 상기 양자점층 상에 형성되는 투명한 제2전극；을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 저선량 및 고감도의 근적외선 검출이 가능한 근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법이 제공된다. 또한, 피검체의 상태 및 다양한 악조건에서도 신뢰성이 우수한 근적외선 검출 데이터를 획득할 수 있는 근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법이 제공된다. 특히, 본 발명에 따르면, 뇌의 기능적 근적외선을 검출하는 fNIR 분야에 매우 적합한 근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법이 제공된다.
