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黄瓜抗蔓枯病渐渗系HH1‑8‑1‑2的培育方法及抗性基因位点分子标记
- 专利权人:
- 南京农业大学
- 发明人:
- 陈劲枫,张旭,徐建,刘佳,娄群峰,娄丽娜,李季
- 申请号：
- CN201610747510.4
- 公开号：
- CN106171963A
- 申请日:
- 2016.08.25
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明属于生物技术育种领域，涉及黄瓜抗蔓枯病渐渗系材料的培育方法。通过该材料获得黄瓜抗蔓枯病分子标记，专用于黄瓜抗蔓枯病分子辅助育种。本发明通过野生种与栽培种的种间杂交，染色体加倍后获得异源四倍体新种，经回交、自交，获得种间渐渗系。通过接种鉴定发现渐渗系HH1‑8‑1‑2的病情指数为24.6，表现为抗病。抗蔓枯病基因QTL位点与标记SSR17406紧密连锁。本发明成功选育了黄瓜抗蔓枯病渐渗系材料，该材料农艺性状优良，可作为育种材料。通过本发明提供的黄瓜抗蔓枯病基因QTL位点的分子标记检测HH1‑8‑1‑2的衍生品种(系)中是否含有该基因位点，可预测其抗性，提高选择效率，加速选育进程。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
