一种霍山石斛的种植方法
- 专利权人:
- 安徽斛生记生物科技有限公司
- 发明人:
- 韩冬
- 申请号：
- CN201610611398.1
- 公开号：
- CN106234180A
- 申请日:
- 2016.07.30
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种种植霍山石斛的种植方法，具体的说是利用一种特殊的装置进行种植霍山石斛的方法。所述种植方法采用一种多层种植装置，装置中空，在装置外壁上均设有透气孔。所述装置底部直径为顶部直径的0.3~0.8倍，每层装置的高度相同且小于装置顶部的直径。本发明所述的霍山石斛的种植方法，能够使得石斛能够向装置四周生长，充分接触空气，成株品相好，而且所述方法占地空间小，有效节省种植基质，具有重要的经济效益。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
