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一种霍山石斛的种植方法
- 专利权人:
- 江南大学
- 发明人:
- 毛健,姬中伟,张敏,牟穰,阳志锐,郭燕飞,黎卫,冯东阳,巩丹,刘芸雅
- 申请号：
- CN201310061776.X
- 公开号：
- CN104012378A
- 申请日:
- 2013.02.28
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供一种霍山石斛的种植方法，其特征在于以树皮碎屑、米心石(质量比2∶1)为种植基质，并经过下列步骤：A.用0.05～0.1％的高锰酸钾溶液，或者0.2％的百菌清浸泡基质5天，捞出晾晒后平铺于种植床上，控制基质厚度10～15cm；B.将石斛幼苗取出，清水洗净根部后用海藻进行包根；C.按10～15×15～20cm的株行距种植于上述基质中；D.种植后适量浇水、喷施营养液，喷洒杀菌剂或/和杀虫剂，10～15个月即可采收。本发明具有取材容易、成本低、可循环使用、保水保肥效果好、密实度高等优点，有利于霍山石斛的良性生长，植株成活率高，劳动强度低，能使树皮碎屑这一废物得到充分利用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
