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具有提高外源基因表达活性的DNA元件
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专利权人:
第一三共株式会社
发明人:
西宫大祐,井上龙也
申请号:
CN201410141682.8
公开号:
CN103865931B
申请日:
2011.07.06
申请国别(地区):
中国
年份:
2018
代理人:
梁谋
摘要:
公开了使用新颖的DNA元件在哺乳动物细胞中稳定获得外源基因的高表达的方法。更特别地,公开了通过改变已引入外源基因表达单元的基因位点周围的染色质结构来增强转录激活的DNA元件。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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