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超音波デバイスおよびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置
专利权人:
SEIKO EPSON CORP
发明人:
KIYOSE SETSUNAI,清瀬 摂内,MATSUDA YOJI,松田 洋史,NAKANISHI DAISUKE,中西 大介
申请号:
JP2013203478
公开号:
JP2015066203A
申请日:
2013.09.30
申请国别(地区):
JP
年份:
2015
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ultrasound device capable of contributing to suppression of wiring resistance while enhancing arrangement density of ultrasonic transducer elements.SOLUTION: An ultrasound device has a substrate 21 which forms base layers 52 of vibration films 41 on each of openings 53 disposed in an array. Wiring layers 27 of conductors are formed on the base layers 52. Insulation films 24 are formed on the wiring layers 27. The insulation films 24 form lamination structures toward the base layers 52 and form the vibration films 41 together with the base layers 52. Through conductors 49 pass through the insulation films 24 and connect at least ones of first electrodes and second electrodes to the conductors of the wiring layers 27.COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT【課題】超音波トランスデューサー素子の配置密度を高めつつ配線抵抗の抑制に寄与することができる超音波デバイスを提供する。【解決手段】超音波デバイスは、アレイ状に配列された開口53ごとに振動膜41の基部層52を形成する基体21を有する。基部層52上に導電体の配線層27が形成される。配線層27上に絶縁膜24が形成される。絶縁膜24は基部層52に対して積層構造を形成して基部層52とで振動膜41を形成する。貫通導電体49は、絶縁膜24を貫通し、配線層27の導電体に少なくとも第1電極および第2電極の一方を接続する。【選択図】図5
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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