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半導体装置の製造方法及びガラス被膜形成装置
- 专利权人:
- 新電元工業株式会社
- 发明人:
- 長瀬 真一,小笠原 淳,伊東 浩二
- 申请号：
- JP20150549701
- 公开号：
- JPWO2016075787(A1)
- 申请日:
- 2014.11.13
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 第１電極板１４と第２電極板１６との間に半導体ウェーハＷの直径よりも小さな直径の開口を有するリング状電極板１８を設置するとともに、リング状電極板１８と第２電極板１６との間に半導体ウェーハＷを配置し、リング状電極板１８に第２電極板１６よりも低い電位を与えた状態でガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成するガラス被膜形成工程を含む半導体装置の製造方法。本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェーハとして、ガラス被膜形成予定面に下地絶縁膜を形成した半導体ウェーハを用いてガラス被膜形成工程を行う場合であっても、半導体ウェーハの外周部においてガラス微粒子の被着効率の低下を抑制することが可能となり、もって高信頼性の半導体装置を高い生産性で製造することが可能となる。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
