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プラズマ電極
专利权人:
SHIMIZU KAZUO
发明人:
SHIMIZU KAZUO,清水 一男
申请号:
JP2011044504
公开号:
JP2012182026A
申请日:
2011.03.01
申请国别(地区):
JP
年份:
2012
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma electrode for stably discharging plasma at low voltage while enhancing insulation resistance.SOLUTION: A plasma electrode 10 is formed by arranging two metal substrates having a plurality of through holes in parallel. The opposing faces of the metal substrates 13 and 14 have irregularities with 1-500 &mum formed by surface processing such as blast processing, etching, press, electroforming, and a coating layer 16 is formed on the irregularities. An insulation film 17 made of diamond-like carbon (DLC), Si02 and the like is formed on a surface of the through holes 11 and 12 formed in the two metal substrates. The coating layer 16 is preferably formed by forming a ferroelectric thin film made of BaTiO3 and the like on the metal substrates 13 and 14.COPYRIGHT: (C)2012,JPO&INPIT【課題】耐絶縁性を向上させながらも、低電圧で安定的にプラズマ放電を行うためのプラズマ電極を提供する。【解決手段】複数の貫通孔を有する金属基板2枚が平行に配設されたプラズマ電極10であって、該金属基板13,14の対向する面には、ブラスト加工、エッチング、プレス、電鋳加工などの表面加工により1~500μmの凹凸が形成され、その上にコーティング層16が形成されており、前記2枚の金属基板に形成された貫通孔11,12は、その表面にダイヤモンドライクカーボン(DLC)、Si02などの絶縁膜17が形成されている。コーティング層16は、金属基板13,14の上にBaTiO3などの強誘電体薄膜が形成されたものであることが望ましい。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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