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一种多孔氧化锡膜型室温气敏元件及其制备方法
- 专利权人:
- 华中科技大学
- 发明人:
- 周东祥,刘欢,龚树萍,傅邱云,胡云香,郑志平,赵俊,万久晓
- 申请号：
- CN201210261847.6
- 公开号：
- CN102809584A
- 申请日:
- 2012.07.26
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 朱仁玲
- 摘要：
- 本发明公开了一种多孔氧化锡膜型室温气敏元件及其制备方法，该方法包括下述步骤：S1配制悬浮液：以丙酮或乙酰丙酮为溶剂将氧化锡纳米粉体配制成悬浮液，在悬浮液中加入碘溶液搅拌后进行超声分散；S2电泳沉积成膜：对超声分散后的悬浮液进行电泳沉积处理获得疏松多孔的纳米晶氧化锡膜；S3热处理：对氧化锡膜进行热处理；S4制作表面电极：在经热处理后的氧化锡膜表面制作电极获得气敏元件。本发明提供的方法利用电泳原理在直流电压下将SnO2纳米粉体均匀沉积在ITO导电玻璃上，形成稳定的疏松多孔的纳米晶SnO2膜；工艺简单、操作方便且重复性好，适合于大规模生产，弥补了常规工艺难以制备疏松多孔膜的不足，可以在室温下实现低浓度气体的检测。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
