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一种半导体氧化物气敏元件制备方法
- 专利权人:
- 华中科技大学
- 发明人:
- 曾大文,谢长生,胡木林,蔡水洲,夏先平,张顺平
- 申请号：
- CN200710168368.9
- 公开号：
- CN101158661A
- 申请日:
- 2007.11.16
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2008
- 代理人:
- 曹葆青
- 摘要：
- 本发明公开了一种半导体氧化物气敏元件制备方法，①将印有加热电极和测量电极的基片清洗干燥后放置在可溶性金属盐的水或醇溶液中浸泡，烘干、加热分解，形成晶种；②将同种金属离子的可溶性盐配成水或醇溶液；采用相同的溶剂配制沉淀剂溶液，并将其滴入水或醇溶液中混合均匀，然后将有晶种的基片悬挂浸泡其中，密封并加热；③取出基片，洗涤、烧结得到气敏元件。本发明利用简单工艺制备出高敏感性纳米半导体氧化物气敏元件，克服了传统工艺材料制备与元件制作分离的缺点，实现了元件表面敏感材料微结构有效调控；其制备方法对生产设备、环境要求低，且节能，能实现低成本、批量生产，可望在气敏传感器领域得到广泛应用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
