一种MOCVD反应腔石墨盘均匀加热工艺参数的优化方法
- 专利权人:
- 佛山市中山大学研究院;中山大学
- 发明人:
- 王钢,王杰,李健,范冰丰,马学进,陈梓敏
- 申请号：
- CN201610851059.0
- 公开号：
- CN106503297A
- 申请日:
- 2016.09.26
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 顿海舟`李唐明
- 摘要：
- 本发明涉及一种MOCVD反应腔石墨盘均匀加热工艺参数的优化方法，将计算机和传热学知识结合起来，对MOCVD反应腔中加热情况进行模拟，利用神经网络构建数学模型，再利用遗传算法进行寻优，找出石墨盘表面温度最均匀时的加热电流，从而有利于薄膜均匀沉积，提高薄膜生长质量。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
