一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法

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专利权人:

中山大学;佛山市中山大学研究院

发明人:

王钢,李健,王杰,陈梓敏,范冰丰,马学进

申请号：

CN201610850215.1

公开号：

CN106521459A

申请日:

2016.09.26

申请国别(地区):

中国

年份:

2017

代理人:

顿海舟`李唐明

摘要：

本发明涉及一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法，将计算机和化学气相沉积过程的机理结合起来，利用神经网络模型和遗传算法进行工艺参数寻优，找出薄膜沉积率最均匀时的MO源流量，从而节省人力物力，同时节省时间成本。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/