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一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法
专利权人:
中山大学;佛山市中山大学研究院
发明人:
王钢,李健,王杰,陈梓敏,范冰丰,马学进
申请号:
CN201610850215.1
公开号:
CN106521459A
申请日:
2016.09.26
申请国别(地区):
中国
年份:
2017
代理人:
顿海舟`李唐明
摘要:
本发明涉及一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法,将计算机和化学气相沉积过程的机理结合起来,利用神经网络模型和遗传算法进行工艺参数寻优,找出薄膜沉积率最均匀时的MO源流量,从而节省人力物力,同时节省时间成本。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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