Execution configuration of manner/the device due to this application can include the x-ray image conversion device. The above-mentioned x-ray image conversion device includes the image conversion array or the multiple photodetectors of the pixel. The above-mentioned photodetector includes responding to the collision of the 1st flank and the above-mentioned scintillator light which receive the light from the scintillator, with the 2nd flank which makes 2nd light pass and responding to the collision of the above-mentioned 2nd light, in order to reflect 3rd light, the reflecting layer which is formed. The illustrate photodetector can absorb the above-mentioned 3rd light which is received with the above-mentioned scintillator light of the specified quantity which is received via the 1st transparent flank and via the 2nd transparent flank. Illustrate reflection layout configuration can be chosen scintillator luminous property and/or on the basis of photodetector absorption property. Decrease of photodetector thickness becomes possible depending upon x-ray detector array and the execution configuration of manner, because of this, noise decrease and image delay decrease and/or electric charge capacity augmentation becomes possible. By execution configuration, quantum efficiency of the photodetector of approach can be maintained.本出願による方法/装置の実施形態は、X線画像化デバイスを含み得る。上記X線画像化デバイスは、画素の画像化アレイまたは複数の光検出器を含む。上記光検出器は、シンチレーターからの光を受容する第1の側部と、上記シンチレーター光の衝突に応答して第2の光を通過させる第2の側部と、上記第2の光の衝突に応答して第3の光を反射するように構成された反射層とを含む。例示的な光検出器は、第1の透明な側部を通じて受容された所定量の上記シンチレーター光と、第2の透明な側部を通じて受容された上記第3の光とを吸収し得る。例示的な反射配置構成は、シンチレータ発光特性および/または光検出器吸収特性に基づいて選択され得る。X線検出器アレイおよび方法の実施形態により光検出器厚さの低減が可能になり、これにより、ノイズ低減、画像遅延低減および/または電荷容量増加が可能になる。実施形態により、肉薄の光検出器の量子効率が維持され得る。
