一种低温环境下蜀桧扦插育苗方法
- 专利权人:
- 焦杰彪
- 发明人:
- 焦杰彪
- 申请号：
- CN201710108065.1
- 公开号：
- CN106888910A
- 申请日:
- 2017.02.27
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 李显锋
- 摘要：
- 本发明公开一种低温环境下蜀桧扦插育苗方法，包括以下操作步骤：（1）选取2年生幼树上的1年生枝条作为插穗，插穗的长度为8‑10cm；（2）将插穗放置在压力为0.4‑0.6bar的密闭容器中，30‑40min后取出；（3）在经过压力处理的插穗上均匀的喷洒营养液；（4）将喷洒过营养液的插穗采用超声处理15‑20min，其中超声波的频率为30‑35KHz；（5）将处理过的插穗竖直插入苗床中，然后在苗床上均匀的撒上育苗促进剂，每平方米苗床育苗促进剂的用量为60‑80g。本发明提供的方法，可以使得蜀桧插穗在低温环境下，具有较高的存活率，并且插穗的生根速度较快，能满足蜀桧在11月份大规模育苗的需求。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
