一种低温应激强化脉冲电场杀灭单增李斯特菌的方法
- 专利权人:
- 华南理工大学
- 发明人:
- 曾新安,刘志伟,韩忠,王启军
- 申请号：
- CN201410421710.1
- 公开号：
- CN104222715B
- 申请日:
- 2014.08.25
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种低温应激强化脉冲电场杀灭单增李斯特菌的方法，包括如下步骤：(1)取新鲜的液体样品；(2)先将液体样品进行程序降温贮藏：在13～17℃下贮藏1～2h，然后将温度降至3～7℃贮藏1～2h；(3)将液体样品升温至35～40℃，立即进行脉冲电场处理。本发明能在较低的脉冲电场强度下达到有效杀灭单增李斯特菌的效果，更加高效，安全，节能。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
