FRIED, Itzhak;KNOWLTON, Barbara;SUTHANA, Nanthia;THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人:
FRIED, Itzhak,SUTHANA, Nanthia,KNOWLTON, Barbara
申请号：
USUS2011/065648
公开号：
WO2012/083254A3
申请日:
2011.12.16
申请国别(地区):
US
年份:
2012
代理人:
摘要：
A site-specific deep brain stimulation for enhancement of memory is described. A method of the site-specific deep brain stimulation for enhancement of memory may include implanting intracranial depth electrodes in a patient, wherein the electrodes are placed in right and/or left entorhinal regions, and stimulating the electrodes with current set below an after-discharge threshold. The method may include stimulation at a specific brain site in the medial temporal lobe, stimulation (ODTS) at specific stages of information processing. A system for site specific deep brain stimulation of entorhinal regions during specific stages of information processing is also described.Une stimulation cérébrale profonde de zones spécifiques pour améliorer la mémoire est décrite, le procédé de stimulation cérébrale profonde de zones spécifiques pour améliorer la mémoire pouvant comprendre l'implantation d'électrodes de profondeur dans l'espace intracrânien d'un patient, lesdites électrodes étant placées dans les régions entorhinales droite et/ou gauche, et la stimulation des électrodes avec un courant réglé au-dessous d'un seuil d'après-décharge. Le procédé selon l'invention peut comprendre la stimulation dans une zone spécifique du lobe temporal médian du cerveau, ou la stimulation (ODTS) à des stades spécifiques du traitement de l'information. Un système de stimulation cérébrale profonde de zones spécifiques des régions entorhinales à des stades spécifiques du traitement de l'information est également décrit.
