一种具有神经元细胞选择性粘附结构的抗信号衰减脑深部刺激电极
- 专利权人:
- 河北工业大学
- 发明人:
- 梁春永,陈路,王洪水,刘宁,邹显瑞
- 申请号：
- CN202211292378.4
- 公开号：
- CN115721314A
- 申请日:
- 2022.10.21
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2023
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种具有神经元细胞选择性粘附结构的抗信号衰减脑深部刺激电极，该脑深部刺激电极具有第一亲水仿生拓扑结构及第二仿生拓扑结构，所述第一亲水仿生拓扑结构制在电极位点的表面，选择性粘附神经元细胞；所述第二仿生拓扑结构制在所述电极位点附近的绝缘层表面，选择性粘附星型胶质细胞。本发明通过在脑深部刺激电极位点及其周围分别加工不同细胞适宜粘附的微纳复合结构，可以有效改善电极位点表面的亲水性，促进神经元细胞的粘附和增殖，同时诱导胶质细胞往电极位点外粘附，进一步降低胶质细胞在电极位点表面增生造成的信号衰减，并有效提高植入脑深部刺激电极的信号质量。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
