介孔硅的修饰方法、介孔材料及其应用
- 专利权人:
- 清华大学
- 发明人:
- 张洪玉,孙涛
- 申请号：
- CN201711115946.2
- 公开号：
- CN107936200B
- 申请日:
- 2017.13.11
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种介孔硅的修饰方法,包括:提供光引发剂和有机物,光引发剂具有苯甲酰基和端羟基,端羟基与苯甲酰基的酰基位于苯甲酰基的苯环的对位、邻位或者间位上,有机物具有磺酰基或甲氧羰基,在具有第一碱性环境的第一溶剂中,使磺酰基或甲氧羰基取代端羟基的氢原子形成磺酸根或甲氧酸根基团,得到磺酸根或甲氧酸根基团修饰的光引发剂;提供介孔硅,介孔硅的表面修饰有氨基,在第一惰性气体保护下,在具有第二碱性环境的第二溶剂中,使氨基取代磺酸根或甲氧酸根基团,从而将光引发剂修饰到介孔硅的表面;提供单体,在紫外光照及第二惰性气体保护下,使光引发剂形成苯甲酰基自由基,并引发单体聚合,从而在介孔硅的表面形成聚合物分子刷。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
