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一种腐殖质还原菌的厌氧培养方法
专利权人:
天津大学
发明人:
孙井梅,刘畅,李檬,古明哲,高耀寰
申请号:
CN201610770497.4
公开号:
CN106222091A
申请日:
2016.08.30
申请国别(地区):
中国
年份:
2016
代理人:
张宏祥
摘要:
本发明公开了一种腐殖质还原菌的厌氧培养方法,采用AQDS培养液,腐殖质还原菌以AQDS为唯一电子受体进行生长代谢。取污水厂厌氧活性污泥作为接种母液。本发明分为三个培养阶段,每阶段培养结束后,培养液通过固液分离器进入曝气池,经离心泵抽吸后进入除氧池,选用亚硫酸盐作为除氧剂。通过曝气池与除氧池的联用,保证菌剂厌氧培养状态,并且实现AQDS在还原态和氧化态间的转换,使其重新参与电子循环,从而促进培养液的循环利用。每培养周期结束后,采用膨润土吸附微生物菌剂。本发明弥补了腐殖质还原菌规模化培养方法的空白,操作方法简单,降低了菌剂制作成本,避免了菌剂流失。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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