Magnetresonanzantenne (1)mit kapazitiven (C, C) und induktiven (F, F, F, F) Antennenschwingkreiselementen (C, C, F, F, F, F) , und mit mindestens einem Hochfrequenz-Schaltelement (T, T, T, T, TT, T), mit dem zumindest eines der die Eigenresonanzfrequenz der Magnetresonanzantenne (1) bestimmenden Antennenschwingkreiselemente (C, C, F, F, F, F) hochfrequenzmäßig zwischen einem durchlässigen Zustand und einem undurchlässigen Zustand schaltbar ist zur Veränderung der Eigenresonanzfrequenz der Magnetresonanzantenne (1),wobei das mindestens eine Hochfrequenz-Schaltelement (T, T, T, T, TT, T) mindestens ein Feldeffekttransistor und/oder mindestens ein mikroelektromechanisches System ist.Magnetic resonance antenna (1) with capacitive (C, C) and inductive (F, F, F, F) antenna resonant circuit elements (C, C, F, F, F, F), and with at least one high frequency switching element (T, T, T , T, TT, T), with which at least one of the self-resonant frequency of the magnetic resonance antenna (1) determining antenna resonant circuit elements (C, C, F, F, F) is high frequency switchable between a transmissive state and an opaque state to change the natural resonant frequency the magnetic resonance antenna (1), wherein the at least one high-frequency switching element (T, T, T, T, TT, T) is at least one field effect transistor and / or at least one microelectromechanical system.
