SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION;ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
发明人:
SUGIZAKI Taro,杉崎太郎
申请号：
JPJP2017/044628
公开号：
WO2018/110572A1
申请日:
2017.12.12
申请国别(地区):
JP
年份:
2018
代理人:
摘要：
The technology of the present invention relates to an imaging element and an electronic device that make it possible to suppress differences in sensitivity among light-receiving parts. The imaging element is provided with a pixel array in which is arrayed at least a first light-receiving part for receiving light of a predetermined color and a second light-receiving part for receiving light of a wavelength band with a narrower bandwidth than the wavelength band of the predetermined color. When dividing the pixel array into four segments with a vertical line and a horizontal line, the position of the second light-receiving part inside a first block in which is arranged at least one each of the first light-receiving part and the second light-receiving part differs for each region. The present technology can be applied to a CMOS image sensor, for example.La technologie de la présente invention concerne un élément d'imagerie et un dispositif électronique qui permettent de supprimer des différences de sensibilité entre des parties de réception de lumière. L'élément d'imagerie est pourvu d'un réseau de pixels dans lequel sont disposées au moins une première partie de réception de lumière pour recevoir de la lumière d'une couleur prédéterminée et une seconde partie de réception de lumière pour recevoir la lumière d'une bande de longueur d'onde ayant une largeur de bande plus étroite que la bande de longueur d'onde de la couleur prédéterminée. Lors de la division du réseau de pixels en quatre segments avec une ligne verticale et une ligne horizontale, la position de la seconde partie de réception de lumière à l'intérieur d'un premier bloc dans lequel est agencée au moins une partie de la première partie de réception de lumière et de la seconde partie de réception de lumière diffère pour chaque région. La présente technologie peut être mise en œuvre sur un capteur d'image CMOS, par exemple.本技術は、受光部の感度差を抑制することができるようにする撮像素子及び電子機器に関する。 撮像素子は、所定の色の光を受光する第１の受光部、及び、前記所定の色の波長帯域より帯域幅
