Eine Phosphorvorrichtung (1) weist ein Trägerelement (2) und eine Phosphorschicht (3) wie auch eine reflektierende Zone (33) auf, die an der oberen Fläche des Trägerelements (2) angeordnet sind. Die Phosphorschicht (3) weist mindestens eine Phosphorzone (R, G) auf. Die erste Stirnfläche (7) des optischen Übertragungselements (4) bedeckt mindestens eine Teilfläche (8) jeder Zone (R, G, 33). Das anregende Licht, das in das optische Übertragungselement (4) durch seine zweite Stirnfläche (9) eintritt, fällt auf die Phosphorschicht (3) und die reflektierende Zone (33). Ein Bruchteil des einfallenden Lichts wird reflektiert, nachdem seine Wellenlänge von dem/den Phosphor(en) der Phosphorschicht umgewandelt wurde. Ein anderer Bruchteil des einfallenden Lichts wird von der reflektierenden Zone (33) direkt reflektiert. Beide Bruchteile des Lichts werden vom optischen Übertragungselement (4) gesammelt und gemischt. Die Eigenschaften des gemischten Lichts mit umgewandelter Wellenlänge können durch Einstellen der Anteile der Teilflächen (8) der Zonen (R, G, 33) eingestellt werden, die von dem anregenden Licht bestrahlt werden.A phosphor device (1) has a carrier element (2) and a phosphor layer (3) as well as a reflective zone (33) which are arranged on the upper surface of the carrier element (2). The phosphor layer (3) has at least one phosphor zone (R, G). The first end face (7) of the optical transmission element (4) covers at least a partial area (8) of each zone (R, G, 33). The exciting light, which enters the optical transmission element (4) through its second end face (9), is incident on the phosphor layer (3) and the reflective zone (33). A fraction of the incident light is reflected after its wavelength has been converted by the phosphor (s) of the phosphor layer. Another fraction of the incident light is directly reflected by the reflective zone (33). Both fractions of the light are collected and mixed by the optical transmission element (4). The characteristics o
