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用于半导体载体的低欧姆衬底通孔互连
- 专利权人:
- 皇家飞利浦电子股份有限公司
- 发明人:
- G·福格特米尔,R·斯特德曼,R·多沙伊德,J·约恩克斯
- 申请号：
- CN200780010965.7
- 公开号：
- CN101410972B
- 申请日:
- 2007.03.16
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2010
- 代理人:
- 陈松涛
- 摘要：
- 本发明描述了一种用于半导体衬底(600)上形成的电子芯片的低欧姆晶片通孔互连(TWI)。该TWI包括在衬底(600)的前表面和背表面之间延伸的第一连接部(610)。第一连接部(610)包括填充有低欧姆材料的通孔，该材料的电阻率低于多晶硅。该TWI还包括也在前表面和背表面之间延伸的第二连接部(615)。第二连接部(615)与第一连接部(610)在空间上由半导体衬底(600)的至少一部分隔开。前表面设有集成电路布置(620)，其中，第一连接(610)电耦合到集成电路布置(620)的至少一个节点而不穿透集成电路布置(620)。在处理TWI期间，首先可以用非金属材料，例如多晶硅来填充通孔。当在前表面上形成集成部件(620)之后，可以减薄衬底(600)，并可以用低欧姆材料，尤其是金属材料来替代非金属材料。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
