Deep brain stimulation lead

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专利权人:

ALEVA NEUROTHERAPEUTICS SA;アレヴァ ニューロセラピューティクス ソシエテアノニム

发明人:

メルカンズィーニ アンドレ,ジョルダン アラン,ミカリス アレクサンドル,ボアズ マーク,ドランスアート アラン,ANDRE MERCANZINI,ALAIN JORDAN,ALEXANDRE MICHALIS,MARC BOERS,ALAIN DRANSART

申请号：

JP2020036370

公开号：

JP2020096959A

申请日:

2020.03.04

申请国别(地区):

JP

年份:

2020

代理人:

摘要：

Systems and methods for deep brain stimulation leads are provided. A stimulation lead including one or more silicon-based barrier layers in a MEMS film. The silicon-based barrier layer improves device reliability and durability. The silicon-based barrier layer also improves the adhesion between the layers of the MEMS film. [Selection diagram] Fig. 3B【課題】深部脳刺激リードのためのシステムおよび方法を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳフィルム内に一つまたは複数のケイ素系バリヤ層を含む刺激リード。ケイ素系バリヤ層は装置信頼性および耐久性を改善する。ケイ素系バリヤ層はまた、ＭＥＭＳフィルムの層間の接着を改善する。【選択図】図３Ｂ

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/