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神経構造を電気的に刺激するための3次元レイアウトを有するインプラント
专利权人:
ユニヴェルシテ・ピエール・エ・マリ・キュリ・(パリ・6)
发明人:
アンリ・ロラッチ,ミラン・ジラ,ブレーズ・イヴェール,フィリップ・ベルゴンゾ,ガエラー・リッソーグ,リオネル・ルソー,リャド・ベンジャミン・ブノマン,セルジュ・ピコー,ジョゼ・サヘル,シオホイ・イエン
申请号:
JP2013506721
公开号:
JP2013524970A
申请日:
2011.04.29
申请国别(地区):
JP
年份:
2013
代理人:
摘要:
Neural structure, a implant for electrical stimulation of the retina, particularly, the present invention is arranged an array recess formed electrically insulating substrate (1), the upper surface of the substrate (2), the bottom of the recess stimulation electrodes, which is (3), and a (4) a conductive layer forming a ground plane in the upper portion of the recess, on the implant. Electrode dimensions and dimensions of the recesses of the implant is sized spatial selectivity of the stimulation current applied to the nerve structure is maximized.本発明は、神経構造、特に網膜を電気的に刺激するためのインプラントであって、電気絶縁基板(1)と、基板の上面に形成された凹部(2)のアレイと、凹部の底部に配置された刺激電極(3)と、凹部の上側部分で接地面を形成する導電層(4)とを含む、インプラントに関する。このインプラントの凹部の寸法、および電極の寸法は、神経構造に印加される刺激電流の空間選択度が最大となる寸法である。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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