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Photosensitive pixel structure having increased light absorption and photosensitive implant
专利权人:
ピクシウム ビジョン エスエー
发明人:
マーティン・ドテール
申请号:
JP2017564722
公开号:
JP2018527040A
申请日:
2016.06.23
申请国别(地区):
JP
年份:
2018
代理人:
摘要:
The present invention is a photosensitive pixel structure (10) comprising a substrate (15) having a front surface and a back surface, wherein at least one photosensitive diode (12, 12 ') is said of the substrate (15). It is provided on one of the surfaces. A first material layer (30) is provided on at least a part of the back side surface of the substrate (15), and the material layer (30) is provided to increase reflectivity on the back side surface of the substrate. Includes a reflective layer. Furthermore, the present invention describes an array (1) and implant comprising such a photosensitive pixel structure (10), and a method of manufacturing the pixel structure (10). [Selection] Figure 2本発明は、前側表面と裏側表面とを有する基板(15)を含む感光性画素構造体(10)であって、少なくとも1つの感光性ダイオード(12,12’)が前記基板(15)の前記表面のうちの一方に設けられている。第1の材料層(30)が前記基板(15)の前記裏側表面の上の少なくとも一部に設けられており、前記基板の前記裏側表面における反射性を高めるために、前記材料層(30)は反射層を含む。更に、本発明は、そのような感光性画素構造体(10)を含むアレイ(1)及びインプラント、並びに前記画素構造体(10)を製造する方法について記載する。【選択図】図2
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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