The present disclosure discusses a system and methods for a deep brain stimulation lead. More particularly, the disclosure discusses a stimulation lead that includes one or more silicon based barrier layers within a MEMS film. The silicon based barrier layers can improve device reliability and durability. The silicon based barrier layers can also improve adhesion between the layers of the MEMS film.La présente invention concerne un système et des procédés pour une électrode de stimulation cérébrale profonde. En particulier, l'invention concerne une électrode de stimulation qui comprend une ou plusieurs couches barrières à base de silicium situées à l'intérieur d'un film MEMS. Les couches barrières à base de silicium permettent d'améliorer la fiabilité et la durabilité. Les couches barrières à base de silicium permettent également d'améliorer l'adhérence entre les couches du film MEMS.
