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一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法
- 专利权人:
- 哈尔滨理工大学
- 发明人:
- 周宏,俞娇娇,金立国,杨玉森,范勇,陈昊
- 申请号:
- CN201410200870.3
- 公开号:
- CN103937241A
- 申请日:
- 2014.05.13
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 侯静
- 摘要:
- 一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法,本发明涉及纳米SiO2空心球复合材料的制备方法。本发明要解决现有技术存在制备的聚酰亚胺介电常数高,介电常数在2.6~3.9,难以满足微电子行业对于基材要求的问题。方法:一、制备纳米SiO2空心球粉末;二、制备纳米SiO2空心球/聚酰胺酸胶液;三、成膜及热亚胺化;四、脱膜,即得到基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料。本发明制备基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的介电常数低至2.1,可广泛适用于高速集成电路挠性覆铜箔板基材中。本发明用于一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备。
- 来源网站:
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址:
- http://www.ckcest.cn/home/