一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO₂空心球复合材料的制备方法

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专利权人:

哈尔滨理工大学

发明人:

周宏,俞娇娇,金立国,杨玉森,范勇,陈昊

申请号：

CN201410200866.7

公开号：

CN103923332A

申请日:

2014.05.13

申请国别(地区):

中国

年份:

2014

代理人:

侯静

摘要：

一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO₂空心球复合材料的制备方法，它涉及纳米SiO₂空心球复合材料的制备。本发明是要解决现有技术存在制备的聚酰亚胺薄膜介电常数高，难以满足微电子行业对于基材技术要求的问题。方法：一、制备纳米SiO₂空心球粉末；二、制备纳米SiO₂空心球/聚酰胺酸胶液；三、制备三层纳米SiO₂空心球/聚酰胺酸薄膜；四、热亚胺化；五、脱膜，即得到基于聚酰亚胺基体纳米SiO₂空心球复合材料。本发明制备基于聚酰亚胺基体纳米SiO₂空心球复合材料的介电常数低至1.9，可广泛适用于高速集成电路挠性覆铜箔板基材中。本发明用于一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO₂空心球复合材料的制备。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/