一种低介电聚醚酰亚胺薄膜的制备方法
- 专利权人:
- 哈尔滨工业大学
- 发明人:
- 李垚,刘俊凯,赵九蓬
- 申请号：
- CN201410232928.2
- 公开号：
- CN103981559B
- 申请日:
- 2014.05.29
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 李涛`张东山
- 摘要：
- 本发明公开了一种低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法。本发明的方法是首先制备电沉积用模板，然后将可溶性聚酰亚胺溶于有机溶剂，通过分子修饰使分子链带电正荷制得电沉积用乳液，在处理后的模板上电沉积聚酰亚胺薄膜，随后将模板刻蚀，在薄膜中引入气孔，降低聚酰亚胺薄膜的介电常数，最后涂覆聚酰亚胺溶液并热处理得到低介电聚酰亚胺薄膜。本发明的方法制备的薄膜的孔隙率高，具有超低介电常数和良好的力学性能，在电工、电子信息、军事、航空航天等方面具有广阔的应用前景。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
