一种测试光刻胶层对离子注入阻挡能力的方法
- 专利权人:
- 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 发明人:
- 胡华勇,顾一鸣
- 申请号：
- CN201110075911.7
- 公开号：
- CN102706785B
- 申请日:
- 2011.03.28
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 骆苏华
- 摘要：
- 本发明提供了一种测试光刻胶层对离子注入阻挡能力的方法，包括如下步骤：提供一测试晶圆；对测试晶圆进行预烘焙处理；在测试晶圆上形成光刻胶层，所述光刻胶层的厚度从边缘至中心呈梯度变化；测量测试晶圆上不同位置光刻胶层的厚度；将预定能量的离子注入光刻胶层上；去除所述光刻胶层；对测试晶圆不同位置上的离子量进行测试；将不同位置的离子量与目标离子量进行比较，确定合适厚度的光刻胶层。本发明的方法大大降低了测试成本，而且涂布光刻胶层的厚度是连续变化的，可以选取更多的光刻胶厚度点进行测试，以找到最为合适的能够对离子注入具有阻挡能力的光刻胶层厚度。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
