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一种小叶矮生型广玉兰的嫩茎段离体培养方法
专利权人:
上海闵行区苗圃
发明人:
陆锦明,朱天华,汤桂钧
申请号:
CN201410143713.3
公开号:
CN103988777B
申请日:
2014.04.11
申请国别(地区):
中国
年份:
2017
代理人:
胡志强
摘要:
本发明涉及一种小叶矮生型广玉兰的嫩茎段离体培养方法,属于植物组织培养技术领域。所述的方法包括以下步骤:1)、拟接种材料的选择与预处理,2)、外植体的消毒,3)、无菌系的建立,4)、丛生芽的诱导与增殖培养,5)、壮苗与生根培养,6)、试管苗的炼苗与移栽。本发明具有的有益效果:丛生芽的诱导率达到90%以上,壮苗生根培养后的生根率达到96%以上,存活率可达96%以上,繁殖速度快、繁殖率高、脱病毒及提纯复壮等优点,克服现有技术中繁殖系数低、周期长、受季节限制等缺陷,可在短时间内工厂化生产优质种苗以满足城乡绿化之需。以一个茎段为例,一年内可工厂化快速繁殖种苗上万株,且质量优异。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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