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樱桃砧木嫩茎段离体培养方法
- 专利权人:
- 上海闵行区苗圃
- 发明人:
- 陆锦明,朱天华,王水燕,汤桂钧,蒋建平,胡海峰
- 申请号:
- CN201210183584.1
- 公开号:
- CN102657098A
- 申请日:
- 2012.06.05
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 翁若莹
- 摘要:
- 本发明公开了一种樱桃砧木嫩茎段离体培养方法。所述的樱桃砧木嫩茎段离体培养方法为:选取新抽生的半木质化的嫩枝,剪去叶片,清洗消毒后,再用无菌水冲洗,最后用无菌滤纸吸干水份;将嫩枝切成茎段,接种于第一培养基中诱导腋芽萌发生长;切下新芽,接种于第二培养基中诱导丛生芽生长;将丛生芽切成单芽后,接种于第三培养基上进行生根培养,得到生根的试管苗;将试管苗移入泥炭+珍珠岩的基质中,装入塑料穴盘中育成穴盘苗,移栽后浇足水,第二天开始叶面喷洒清水,每天2次,半月后追施营养液,每月二次,经三个月以上培养后,移至塑料大棚作砧木大苗培养。利用本发明提供的培养方法培养的樱桃砧木种苗繁殖速度快、繁殖率高。
- 来源网站:
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址:
- http://www.ckcest.cn/home/