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PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE NANOSTRUCTURES SUR UN IMPLANT DENTAIRE
专利权人:
Straumann Holding AG
发明人:
申请号:
EP18773218.5
公开号:
EP3687441A1
申请日:
2018.09.27
申请国别(地区):
EP
年份:
2020
代理人:
摘要:
The present invention relates to a process for the preparation of a topography for improved fibrin network formation and cell mineralization on at least a portion of a dental implant made of a binary titanium-zirconium alloy, said portion being destined to be embedded in a patient's jawbone and to be in contact with the jawbone via a bone-contacting surface, the process comprising the subsequent steps of a) subjecting the bone-contacting surface of the dental implant to a sandblasting treatment, b) etching the sandblasted bone-contacting surface, and c) treating the sandblasted and etched bone- contacting surface with water or an aqueous solution for a duration of more than two days, during which nanostructures continuously grow on the bone-contacting surface, said nanostructures extending in at least two dimensions to 200 nm at most. The process is characterized in that the treatment of b) is carried out at a temperature from 40 °C to 60 °C.La présente invention concerne un procédé pour la préparation d'une topographie pour la formation d'un réseau de fibrine et la minéralisation cellulaire améliorées sur au moins une partie d'un implant dentaire constitué d'un alliage binaire de titane-zirconium, ladite partie étant destinée à être incorporée dans l'os de la mâchoire d'un patient et à être en contact avec l'os de la mâchoire par l'intermédiaire d'une surface de contact avec l'os, le procédé comprenant les étapes suivantes consistant à a) soumettre la surface de contact avec l'os de l'implant dentaire à un traitement de sablage, b) graver la surface de contact avec l'os sablée, et c) traiter la surface de contact avec l'os sablée et gravée avec de l'eau ou une solution aqueuse pendant une durée supérieure à deux jours, au cours de laquelle des nanostructures croissent en continu sur la surface de contact avec l'os, lesdites nanostructures s'étendant dans au moins deux dimensions à 200 nm au maximum. Le procédé est caractérisé en ce que le traitement de b) est effec
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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