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提高镉超积累植物龙葵萌发和育苗成功率的方法
专利权人:
上海交通大学
发明人:
王军才,陈寻峰,初少华,池耀威,张丹,由义敏,王任远,周培
申请号:
CN202111312800.3
公开号:
CN113854060A
申请日:
2021.11.08
申请国别(地区):
CN
年份:
2021
代理人:
摘要:
一种提高镉超积累植物龙葵萌发和育苗成功率的方法,通过将龙葵种子消毒、浸泡后搭棚并翻盖薄膜培育至幼苗,待幼苗长至5片叶时移栽至镉污染场地。本发明不仅可以有效提高龙葵种子萌发和育苗成功率,缩短幼苗的生长周期,提高龙葵幼苗质量,而且涉及的材料来源广泛,成本低,可以推广以龙葵为基础的镉污染土壤植物修复技术的田间应用。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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